2024-3-22 16:04

消息称三星3nm工艺初期良率10-20%,现已提升3倍但仍落后于台积电

消息源 @Tech_Reve 近日发布推文,表示三星 3nm 工艺初期良率为 10-20%,近期已提高了 3 倍多,但相比较采用 FinFET 技术的台积电,其良率依然偏低。

消息源表示三星寄希望于第二代 3nm 技术,性能,功耗和面积(PPA)指标相当于台积电的 N3P 工艺。知情人士透露三星第二代 3nm 工艺与 4nm FinFET 技术相比,能效和逻辑面积提高了 20-30%。

据此前报道,三星计划今年下半年量产第二代 3nm 工艺。三星电子 DS 部门下属 Foundry 业务部负责人崔时荣表示三星的第二代 3nm 和首代 2nm 是两个不同的工艺,此前收到日本 AI 企业 Preferred Networks 的 2nm AI 芯片订单,也是三星的首个 2nm 订单。

作者:故渊   来源:IT之家

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本评论 更新于:2024-5-28 2:04:23
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