三星电子于今日正式向全球核心客户，交付业界首批12层堆叠HBM4E内存工程样品，进一步稳固自身在AI存储芯片领域的技术龙头地位。
性能规格上，全新HBM4E亮点突出，传输速率可达14Gbps，最高可拓展至16Gbps，相较上代HBM4性能提升超20%，单堆栈带宽高达3.6TB/s。12层堆叠版本容量达到48GB，相比上一代提升30%以上，后续还将推出8层32GB、16层64GB版本，覆盖不同层级AI算力设备需求。
在能效与散热方面，三星通过优化低功耗设计与封装结构，让HBM4E整体能效提升16%，热阻特性改善14%，能够有效降低AI数据中心高负载运行时的功耗压力与散热负担。制程上沿用成熟方案，采用第六代10纳米级1c DRAM工艺，搭配自研4纳米逻辑基底芯片，充分保障产品良率与后续量产稳定性。
量产节奏与行业竞争方面，三星早在今年2月已实现HBM4全球首家量产，HBM4E将根据英伟达、AMD、谷歌等大客户需求推进量产规划。其他两家SK海力士计划2026年下半年送样HBM4E、2027年正式量产；美光同款产品也要等到2027年推出，且需由台积电代工逻辑芯片，整体进度明显落后。
市场层面，当前HBM4单颗售价已达700美元，较HBM3E上涨20%-30%，叠加通用DRAM涨价趋势，三星在供应链议价中优势显著。HBM4E专为大语言模型和下一代AI系统量身打造，行业竞争也从以往的良率竞赛，转向定价权与规格主导权的争夺，HBM长期合约价格持续看涨。
