C114讯 12月14日消息（南山）据国家知识产权局，吉光半导体科技有限公司近期公开了一项垂直腔面发射激光器(VCSEL)专利，公开号：CN117134194A。
本发明涉及半导体激光器技术领域，特别涉及一种提高有源层散热的垂直腔面发射激光器及其制备方法。
专利简介如下：
自1996年第一次推出商用垂直腔面发射激光器(VCSEL)以来，VCSEL已被广泛应用在激光鼠标、激光打印等领域，最成功的一项应用就是短距离数据传输。随着大数据中心和超级计算机的逐渐兴起，其内部的总网络带宽超过200T bps，相互之间的数据传输引起的功耗得到了极大的重视，采用VCSEL进行数据中心之间的光互连被视为一种降低传输功耗的有效手段。
随着数据中心流量需求激增，对VCSEL的速率要求越来越高。高速VCSEL的体积也随着速率的提高被设计的越来越小。体积的减小使器件有源层的散热成为问题。尽管VCSEL的转化速率相对较高，但仍然有大量能量以热能的形式损失，造成有源层温度高，这会直接导致有源层量子阱微分增益的下降，损害器件的高速及低耗性能。同时热量在有源层累计会降低器件的效率、稳定性以及缩短使用寿命。
面向数据传输的VCSEL器件需要工作在一定的驱动电流下以满足数据传输速率所需要的带宽，在高驱动电流下的有源层温度远高于工作环境温度，热限制是一个不可忽视的带宽限制因素，因此提高光通讯VCSEL器件的散热有重要的应用意义。
但现有的结构，有源区下方相邻的是三元系材料，三元系材料在散热上远不如二元系材料，因此，如何进一步提高有源区散热成为高速VCSEL的待解问题之一。
本发明的目的是为了克服已有结构的缺陷，提出一种减小有源层的热量积累，提高器件的效率、稳定性以及使用寿命，并在最大程度上提高器件的调制带宽的垂直腔面发射激光器结构及其制备方法。
与现有技术相比，本发明可以有效减小有源层的热量积累，提高器件的效率、稳定性以及使用寿命，并在最大程度上提高器件的调制带宽，同时，三元系材料包覆二元系材料的N型DBR结构，能够在刻蚀P型台面时，避免刻蚀到二元系材料，不会因二元系材料被氧化而导致器件断路失效。
