韩媒 ETNews 报道称，三星电子内部已确认在平泽 P4 工厂建设 1c nm DRAM 内存产线的投资计划，该产线目标明年 6 月投入运营。
平泽 P4 是一座综合性半导体生产中心，分为四期。在早前规划中，一期为 NAND 闪存，二期为逻辑代工，三期、四期为 DRAM 内存。三星已在 P4 一期导入 DRAM 生产设备，但搁置了二期建设。
而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 级内存工艺，各家的 1c nm（或对应的 1γ nm）产品目前均尚未正式发布。韩媒在报道中称，三星电子计划在今年底启动 1c nm 内存生产。
▲ 三星平泽厂区
根据此前报道，三星电子考虑在明年下半年推出的 HBM4 内存上使用 1c nm DRAM 裸片，以更先进的 DRAM 制程提升 HBM4 产品的能效竞争力，追赶 HBM 领域领先者 SK 海力士。
考虑到 HBM 内存对 DRAM 晶圆的消耗量远高于传统内存，平泽 P4 建设 1c nm DRAM 产线也是在为可能的 HBM4 生产需求做好准备。
