近日有消息称，随着人工智能（AI）热潮带来的需求迅速增长，半导体行业对高性能半导体的竞争加剧，三星电子计划引入同行SK海力士大规模回流模制底部填充（MR-MUF）技术。
对此三星予以否认，并称“三星电子没有计划在半导体芯片生产中引入大规模回流（MR）-MUF技术”。
尽管由于AI热潮，对高带宽内存（HBM）的需求不断增加，但与SK海力士和美光不同，三星电子尚未与英伟达签署供应HBM芯片的合同。分析师认为，三星电子落后于竞争对手的原因之一是因为它坚持使用热压非导电薄膜（TC NCF）制造技术，该方法存在一些生产问题。
另一方面，SK海力士针对NCF问题改用MR-MUF方式，向英伟达供应HBM3芯片。
几位海外分析师表示，三星HBM3芯片的生产良率约为10%~20%，而SK海力士的HBM3良率可达60%~70%。
消息人士称，三星电子也正在与包括日本Nagase在内的相关公司进行谈判，以供应MUF材料。
